게이터 발진기

마지막 업데이트: 2022년 5월 5일 | 0개 댓글
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The NAND gate oscillator

"ignore the man behind the curtain." I'm going to whisper some words that scare most people.

Knowledge, design, control

as you 게이터 발진기 start to learn how to control digital inputs, you actually start to understand how some of the "whiz-bang" electronics around you actually work.

go out and buy a copy of a monthly electronics magazine. you will actually understand more than you expect. remember,electronics is not hard, just lots of new information.

lesson24: building the NAND gate oscillator

here, just like the title says, you will incorporate the two unused NAND gates of the 4011 and build an extension onto your existing circuit. the extension will create a flashing output.

add to your breadboarded circuit. don't strip your breadboard.

here you will get some dramatic changes by adding three basic components and changing some wiring to use the other two NAND gates.

there are only four points connected to ground now. make sure that input 6/5 and 9/8 are no longer connected to ground.

Hanyang University repository

Title Multi-Band CMOS RF Downconverter Author 이상호 Alternative Author(s) Lee, Sang Ho Advisor(s) 김형동 Issue Date 2009-02 Publisher 한양대학교 Degree Doctor Abstract 본 논문에서는 다중밴드 CMOS RF 하향변환기를 설계하였다. 설계된 RF 하향변환기는 혼합기, 전압 제어 발진기, 저잡음 증폭기 세 개의 소자로 구성되어 있다. 그리고, 제작된 RF 하향변환기는 직접변환구조를 채택하여 3가지 표준을 수용한다. WCDMA, WiBro, CDMA2000-1x (1.84 GHz - 2.4 GHz). 설계된 혼합기는 수동 저조파 이중평형 구조이고, 전압제어 발진기는 백-게이트 커플링 4상 구조이고, 저잡음 증폭기는 차동 구조로 되어있다. 각 소자는 직접변환구조에 적절하게 설계되었다. 설계된 혼합기는 믹싱 트랜지스터가 트라이오드 영역에서 동작하기 때문에 플리커 잡음이 이론적으로 없고, 국부 발진기 신호의 주파수가 RF 주파수의 절반이기 때문에 DC 오프셋 문제를 회피할 수 있다. 전압 제어 게이터 발진기 발진기는 4상의 신호를 만들어내고, 발진 주파수는 저조파 혼합기를 구동시키기 위해 RF 주파수의 절반이다. 설계된 전압 제어 발진기는 백-게이트 커플링을 사용함으로써 커플링 트랜지스터가 필요없게 되어 위상 잡음 특성을 개선하는 효과를 거둘 수 있다. 백-게이트 커플링이란 트랜지스터의 보디 부분을 또 다른 게이트로 사용한다는 의미이다. 잘 알려진 캐스코드 구조를 사용한 저잡음 증폭기는 커몬모드 잡음 특성을 개선하고 이중평형 혼합기를 구동시키기 위해 차동구조로 설계되었다. 공정기술의 발달로 회로의 동작주파수 (더 빠른 속도)와 직접도 (더 작은 크기)가 증가함에 따라, 회로 연결부의 기생성분의 효과는 더욱 중대해지고, 연결부의 레이아웃에 대한 해석이 더욱 중요해지고 있다. 레이아웃의 연결부 기생성분의 효과를 연구하기 위해, RF CMOS 레이아웃의 풀-웨이브 전자파 해석을 연구하였다. 제안된 시뮬레이션 방법에 의하면, 더 정확한 회로의 레이아웃 설계를 얻을 수 있다. 이 시뮬레이션 방법은 두 단계로 이루어진다. 첫 번째 단계에서 풀-웨이브 전자기학적인 시뮬레이션을 통해 레이아웃 연결 선의 S-파라미터를 추출한다. 이때, 상용 계산기인 안소프트 HFSS를 사용한다. 추출된 S-파라미터로부터, 자신의 기생 RLC성분과 연결선들 사이의 인터-커플링과 칩 상에서의 방사를 수치적으로 확인해 볼 수 있다. 효율적으로 레이아웃 설계로부터 S-parameter를 실험하기 위해 능동소자와 수동소자는 제거하고, 그 위치에 포트를 설정한다. 포트는 능동 혹은 수동소자가 있던 곳을 포트의 양(+)극으로 지정하고, 가장 가까운 그라운드 금속을 포트의 음(-)극으로 지정한다. 두 번째 단계로 추출된 S-파라미터를 회로 시뮬레이션에 통합하여 시뮬레이션을 실행한다. 추출된 S-파라미터는 EDA 소프트웨어의 S-파라미터 상자에 집어 넣고, 능동소자와 수동소자를 그 상자와 연결한다. 그리고 회로 시뮬레이션을 실행하면 추출된 연결부의 수동 금속 성분들의 S-parameter가 포함된 시뮬레이션 결과를 얻을 수 있다. 회로 시뮬레이션에는 Agilent의 ADS 혹은 Cadence SpectreRF를 이용한다. 위와 같이 수동 금속 구조의 풀-웨이브 전자파 해석을 포함하는 방식의 시뮬레이션을 통해서 보다 현실적인 결과를 얻을 수 있다.
In this dissertation, a multi-band CMOS RF (Radio Frequency) downconverter is designed. The designed RF downconverter is composed of three components: mixer, voltage-controlled oscillator (VCO), and low-noise amplifier (LNA). Moreover, the designed RF downconverter adopts direct-conversion architecture and accommodates three standards: WCDMA, WiBro and CDMA2000-1x (1.84 GHz-2.4 GHz). The designed mixer is a passive sub-harmonic double-balanced structure, the VCO is a back-gate coupling quadrature VCO and the LNA is a differential topology. Each component is designed with relevance to direct-conversion architecture. The designed mixer has no flicker noise theoretically because the mixing transistors operate in the triode region Also the DC offset problem is avoided because local oscillator (LO) frequency is half of RF frequency and the port isolation is improved by the innate characteristics of balanced structure. The VCO generates a quadrature signal and the oscillation frequency is half of RF frequency to drive a sub-harmonic mixer. No coupling transistors are needed by the use of back-gate coupling to reduce flicker noise. Back-gate coupling means that the body of the transistor is used as another gate. The LNA, which adopts a well-known cascode structure, is designed as a differential structure to suppress common mode noise and to drive a double-balanced mixer. All designed components are fabricated by the TSMC 0.18-㎛ RF CMOS process. With increased circuit operating frequency (higher speeds) and density (smaller feature size) in deep submicron designs, interconnection parasitic effects are becoming more serious and the analysis of the interconnection layout is becoming more important. To study the cause of the interconnection parasitic effect of layout, the full-wave electromagnetic analysis of RF CMOS layout is investigated. Using 게이터 발진기 the proposed simulation method, a more accurate circuit layout design can be achieved. The simulation method consists of two steps. The first step is to extract S-parameters from the layout interconnection lines by full-wave electromagnetic simulation with commercial solver, ANSOFT HFSS. From the extracted S-parameters, self-parasitic RLC and inter-coupling between the interconnection lines and radiations in the chip can be recognized. To examine the S-parameter from the layout design efficiently, passive and active components are removed, and ports are assigned at the place which was a connection point between components and interconnection lines. The plus port is connected to the signal path and the 게이터 발진기 minus port is connected to the nearest ground metal. The second step is a circuit simulation with extracted S-parameters. The extracted S-parameters are boxed into an S-parameter block of an EDA tool, such as Cadence SpectreRF and Agilent ADS, and active and passive components are connected to the block, which contains S-parameters 게이터 발진기 data, and then the circuit simulation is carried out. From the above simulation, a more realistic solution that contains full-wave electromagnetic solution of passive metal structure can be achieved. URI https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/144864http://hanyang.dcollection.net/common/orgView/200000410654 Appears in Collections: GRADUATE SCHOOL[S](대학원) > DEPARTMENT OF ELECTRONICS & COMPUTER ENGINEERING(전자통신컴퓨터공학과) > Theses (Ph.D.) Files in This Item:

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게이터 발진기

제품

WF1967/WF1968 WF시리즈는 다양한 파형 출력, 트리거나 게이트발진, 스윕 발진이 가능한 함수발생기 고유의 기능뿐만아니라 주파수 고정밀도, 재현성이 뛰어난 제현성이 뛰어난 제품입니다.

주파수범위 0.01µHz ~ 최고 200MHz

- 진폭분해능 16bit 고분해능 설정
- 진폭설정 20Vp-p
- 저지터 85ps rms이하
- 저왜곡률 0.04%이하
- 풍부한 출력 파형 : 정현파,방형파,펄스파,노이즈,DC외 25종류의 파라메터 가변 파형
- 2채널연동(WF1968만 가능)

[최고 200MHz, 고확도‧고분해능]

정현파 출력은 0.01µHz ~ 최고 200MHz, 방형파 및 펄스파 출력은 0.01µHz ~ 70MHz의 폭넓은 주파수 범위를 가지고 있습니다. 주파수 확도는 ±(3ppm + 6pHz)로 0.01µHz(50MHz 미만)의 고분해능 설정이 가능합니다.

[진폭 설정 최대 20Vp-p/무부하]

최대 출력 전압은 110MHz 이하에서 20Vp-p, 최소 설정 분해능은 0.1mVp-p이며 0Vp-p설정도 가능합니다. 오토 레인지 기능으로 전출력 전압 범위에서 항상 최적의 출력 전압 렝ㄴ지를 선택하며 설정 레벨에 따른 진폭 설정 확도의 저하를 경감하고 항상 높은 진폭 설정 확도를 얻을 수 있습니다.

발진모드는 연속, 스윕(주파수,위상,진폭,DC 옵셋,듀티), 버스트(오토 버스트, 트리거 버스트, 게이트, 트리거 게이트), 시퀀스,내부 변조/외부 변조(FM,FSK,PM,PSK,AM,DC 옵셋 변조, PWM)를 갖추고 있습니다. 각 모드에서 다양한 설정이 가능하므로 각종 시험의 신호를 출력하거나 복잡한 시험의 효율화를 지원합니다.

DETAILS

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DETAILS

2채널의 독립 설정 외에 2상, 주파수차 일정 등을 설정할 수 있습니다. 2채널을 연동한 채 각종 스윕을 실행할 수도 있습니다. 출력은 각 채널이본체로부터 절연되어 있습니다.

DETAILS

외부의 신호와 내부에서 생성하는 파형을 가산하여 출력할 수 있습니다. 입력 주파수는 DC에서 100MHz입니다.

DETAILS

DETAILS

DETAILS

지터는 85ps rms이하(typ. 100Hz 이상)로 기존 제품에 비해 대폭으로 경감하여 안정된 방형파 출력이 가능합니다. 또 트리거 지터도 0.2ns rms이하로(typ.) 경감했습니다.

샐러드 드레싱 시장은 내년에 Nestle, KraftHeinz Company, Unilever, Kewpie와 함께 새로운 차원을 맞이할 것입니다.

샐러드 용 소스

샐러드 용 소스 시장 보고서는 상세한 시장 세분화를 통해 업계에 대한 통찰력을 제공하는 것을 목표로 합니다. 이 보고서는 동인, 제한 및 추세와 함께 시장의 개요 및 범위에 대한 자세한 정보를 제공합니다. 이 보고서는 연구에 참여하는 각 지역 및 국가의 산업의 질적 및 양적 측면을 포함하도록 설계되었습니다.

이 연구 보고서의 범위는 샐러드 용 소스 시장의 광범위한 개요부터 섬세한 구조, 분류 및 응용 프로그램에 이르기까지 다양합니다. 이 연구 보고서는 또한 효과적인 정보 그래픽을 통해 데이터를 제시함으로써 세계 시장에 대한 명확한 그림을 제공합니다. 또한 시장 성장에 영향을 미치는 요인에 대한 자세한 목록을 제공합니다.

글로벌 샐러드 용 소스 시장 조사 보고서에서 언급된 주요 선수:

Nestle, KraftHeinz Company, Unilever, Kewpie, Mizkan, Frito-Lay company, Campbell Soup Company, Lancaster Colony Corporation, Cholula, Huy Fong Foods, Baumer Foods, French’s Food, Southeastern Mills, Remia International.

글로벌 샐러드 용 소스 시장 세분화:

시장 세분화: 유형별

샐러드 드레싱, 케첩, 머스타드, 마요네즈, 바베큐 소스, 칵테일 소스, 간장, 피쉬 소스, 칠리 소스, 우스터 소스

시장 세분화: 애플리케이션별

이 보고서는 샐러드 용 소스 시장의 성장에 중요한 영향을 미치는 주요 거시 경제 요인에 대한 좋은 개요를 제공합니다. 또한 샐러드 용 소스 시장에서 수익 창출 및 판매 기회 증가를 식별하는 데 필수적인 절대적 달러 기회 분석을 제공합니다. 시장 플레이어는 보고서에 제공된 정성 및 정량 분석을 활용하여 샐러드 용 소스 시장을 완전히 이해하고 성장 측면에서 업계에서 큰 진전을 이룰 수 게이터 발진기 있습니다. 샐러드 용 소스 시장의 전체 규모와 보고서에서 연구된 각 세그먼트의 전체 규모는 다양한 요인을 기반으로 정확하게 계산됩니다.

지리를 기반으로 샐러드 용 소스의 세계 시장은 다음과 같이 세분화되었습니다:

  • 북미에는 미국, 캐나다 및 멕시코가 포함됩니다.
  • 유럽에는 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 스페인이 포함됩니다.
  • 남미에는 콜롬비아, 아르헨티나, 나이지리아, 칠레가 포함됩니다.
  • 아시아 태평양에는 일본, 중국, 한국, 인도, 사우디아라비아 및 동남아시아가 포함됩니다.

코로나19 영향

보고서는 코로나바이러스 COVID-19의 영향을 다루고 있습니다: 2019년 12월 COVID-19 바이러스 발병 이후, 이 질병은 세계보건기구(WHO)가 공중보건 비상사태를 선언하면서 전 세계 거의 모든 국가로 퍼졌습니다. 코로나바이러스 질병 2019(COVID-19)의 글로벌 영향은 이미 느껴지기 시작했으며 2022년 샐러드 용 소스 시장에 큰 게이터 발진기 영향을 미칠 것입니다.

COVID-19의 발생은 항공편 취소와 같은 여러 측면에 영향을 미쳤습니다. 여행 금지 및 검역; 레스토랑 폐쇄; 모든 실내/실외 행사 제한 40개국 이상에 비상사태 선포; 게이터 발진기 공급망의 엄청난 둔화; 주식 시장 변동성; 기업에 대한 신뢰 하락, 인구의 공포 증가, 미래에 대한 불확실성.

연구의 목적:

– 전 세계 샐러드 용 소스 시장의 다양한 세그먼트 및 하위 세그먼트에 대한 예측과 함께 시장 구조에 대한 자세한 분석을 제공합니다.

-시장의 성장에 영향을 미치는 요인에 대한 정보를 제공합니다. 가격 분석, 공급망 분석, Gate Five 힘 분석 등 다양한 요인을 기반으로 샐러드 용 소스 시장을 분석합니다.

-북미, 유럽, 아시아, 라틴 아메리카 및 기타 국가의 4개 주요 지역 및 해당 국가에 대한 시장 세그먼트 및 하위 세그먼트의 과거 및 예측 수익을 제공합니다.

-현재 시장 규모 및 미래 전망과 관련된 국가 수준의 시장 분석을 제공합니다.

– 애플리케이션, 제품 유형 및 하위 세그먼트별로 해당 세그먼트에 대한 국가 수준 시장 분석을 제공합니다.

-핵심 역량을 심층 분석하고 시장의 경쟁 환경을 그려 주요 시장 참가자의 전략적 프로필을 제공합니다.

– 게이터 발진기 글로벌 샐러드 용 소스 시장에서 합작 투자, 전략적 제휴, 합병 및 인수, 신제품 개발, 연구 개발과 같은 경쟁 개발을 추적 및 분석합니다.

목차:

4 글로벌 샐러드 용 소스 기업별 경쟁사 현황

5 지역별 글로벌 샐러드 용 소스 시장 규모

지역 수준 및 국가 수준의 6 세그먼트

8 산업 체인 및 판매 채널 분석

결론: 샐러드 용 소스 시장 보고서 말미에 모든 결과 및 추정치가 제공됩니다. 또한 지역 분석과 함께 주요 동인 및 기회가 포함됩니다. 세그먼트 분석은 유형 및 적용 측면에서도 제공됩니다.

특별한 요구 사항이 있는 경우 알려주시면 맞춤형 가격으로 보고서를 제공해 드리겠습니다.

강조 표시된 관련 사항:

  • 이 보고서에는 전 세계 샐러드 용 소스 시장에 대한 귀중한 통찰력을 얻는 것을 목표로 하는 전반적인 비즈니스 예측이 포함됩니다.
  • 주요 세그먼트는 세부적인 검토와 업계에 대한 더 깊은 이해를 위해 하위 세그먼트로 더 분류되었습니다.
  • 시장 성장으로 이어지는 요인이 나열되었습니다. 데이터는 1차 및 2차 출처에서 수집되었으며 해당 분야의 전문가가 분석했습니다.
  • 이 연구는 시장의 주요 업체의 최신 동향과 회사 프로필을 분석합니다.

글로벌 시장 비전 소개

Global Market Vision은 세부 사항에 중점을 두고 고객의 요구에 따라 정보를 제공하는 젊고 경험이 풍부한 사람들로 구성된 야심찬 팀으로 구성됩니다. 정보는 비즈니스 세계에서 매우 중요하며 우리는 정보 전파를 전문으로 합니다. 당사의 전문가는 심도 있는 전문 지식을 보유하고 있을 뿐만 아니라 귀하의 비즈니스 개발에 도움이 되는 포괄적인 보고서를 작성할 수도 있습니다.

당사의 보고서를 통해 정확하고 충분한 근거가 있는 정보를 기반으로 하는 중요한 전술적 비즈니스 결정을 내릴 수 있습니다. 당사 전문가는 당사의 정확성에 대한 우려나 의심을 없애고 신뢰할 수 있는 보고서와 덜 신뢰할 수 있는 보고서를 구별하여 의사 결정의 위험을 줄이는 데 도움을 줄 수 있습니다. 우리는 귀하의 의사 결정 과정을 보다 정확하게 만들고 목표의 성공 가능성을 높일 수 있습니다.

32kHz 피어스 게이트 수정 발진기 회로에 대한 Rs 값 계산

74HC4060과 32kHz 12.5pF 시계 크리스탈을 사용하여 Pierce-Gate 발진기 회로를 구축하고 있습니다.

저는 초보자이지만 SN74HC4060 의 발진기 회로 인 AFAICT 는 버퍼링 된 CMOS 인버터 일뿐 입니다.

PCB의 발진기 섹션 아래 (왼쪽의 IC는 4060). 오실레이터 섹션 아래의 보드 뒷면은 깨끗합니다. 신호 흔적 및 구리 주입 없음 :

수정이 진동하는 동안 때때로 불안정하고 주파수가 다릅니다. 내가 초보자 그리고 난 부하 저항에 대한 적절한 값을 해결하려고 노력 사투를 벌인거야 \$R_1\$ .

내가 알기로 크리스탈의 12.5pF 부하 커패시턴스는 다음과 같아야합니다.

여기서 \$C_\$ 및 \$C_\$ CMOS 인버터의 회로 커패시턴스 및 \$C_\$ 기생 PCB 커패시턴스를 나타냅니다. 나는 \ 의 가치에 대해 조금 어둡다. $C_\$ 및 \$C_\$ IC의 데이터 시트 에서 찾을 수없는 것 같습니다 .

온라인 경험 규칙에 따라 각각에 대해 3pF를 사용하고 \$C_\$ . 대체는 다음을 제공합니다.

\$C_1\$ = 20pF
\$C_2\$ = 20pF

내가 고민하는 것은 \$R_1\$ 그러나.

위의 회로도에서 470k의 값은 https://www.eevblog.com/forum/beginners/using-a-32-768khz-crystal-with-4060-frequency-divider/ 그러나 나는 그것이 어떻게 파생되었는지 정말로 이해하지 못합니다.

나는 그것이 허용의 이해 \$R_1\$ 용량 저항 \$C_1\$ (§6.1.2에서 http://www.ti.com/lit/an/szza043/szza043.pdf) 32768Hz에서 20pF의 경우 241k라고 생각합니다.

그러나 나는 게이터 발진기 게이터 발진기 또한 \$R_1\$ 크리스탈을 통과하는 전류를 낮추는 역할을합니다. 결정은 데이터 시트의 목록과 같은 드라이브 수준 \$1 <\mu>W\$ 그리고 241k는 그것을 달성하기에는 너무 낮아 보일 것입니다.

내 회로는 5V에서 실행됩니다. 와 \$R_1\$ 및 \$X_\$ 242k와 같고 35k에서 크리스털의 유효 직렬 저항과 같습니다. 크리스털을 통과하는 전류와 전압을 어떻게 계산합니까?

이것은 아마도 내가 레일에서 벗어나는 곳일 것입니다 (아직 그렇지 않은 경우), 다음과 같은 동등한 저항 네트워크로 접근합니까?

옴의 법칙이 수정에 평행 한 저항을 가하고 \$X_\$ 31k에서 전압 \$V_1\$ 0.57V에서 전류 \$R_1\$ (18)에서 \$ \mu A\$ , \$I_\$ ~ \$16 \mu A\$ 그리고 확장하여 크리스탈의 전력 소비 \$0.57V \cdot 16 \mu A = 9 \mu W\$ ?

\에 대한 적절한 값을 계산하는 방법은 무엇입니까? $R_1\$ 크리스탈의 사양을 만족 시키는가?

1 answers

나는 당신이 읽는 곳이 그렇게 큰 값이어야한다는 것을 보지 못했지만, 이것은 꾸준한 진동을 유도하기에 충분하지 않습니다. 계산이 올바르지 않습니다.

정확한 값은 XTAL OEM 데이터 시트에서만 가져와야합니다. 이것이 실패하면 Xtal 두께의 약 10k Ohms x mm 단위입니다. 예 : 20k ~ 40k Ohm.

이 낮은 uW 전력 수준에 한계가있는 이유를 누구에게도 말하지 않는 이유는 다음과 같습니다. 결과 열이 아니라 XTAL의 항복 전압이 내부 "피에조-모션 커패시턴스"를 증폭하여 적용된 입력 전압의> 10kV x에 도달합니다.

이것은 공진기의 대략적인 Q입니다. (10k 분)

고장이 나면 전력이 즉시 흡수되어 Xtal 격자 구조 인터페이스가 손상되고 성능이 저하됩니다.

Rs없이 작동했는데 여전히 작동한다면 운이 좋다고 생각하십시오. . 나무 아래에서 번개에 맞지 않는 것처럼.

적절한 R로 잘 작동하면이 케이스를 닫은 것으로 간주합니다 .

그래도 성능이 좋지 않으면 적절한 레이아웃이 1cm 미만의 짧은 연결을 사용해야하며 다음을 포함하여 경험했을 수있는 모든 처리 스트레스 를 사용해야합니다.

  • ESD, 과도한 솔더 시간> 3s, 단단한 바닥에서 1m 떨어지고 Rs없이 작동.

7 월 20 일 편집 :
고조파 콘텐츠를위한 LPF (Low Pass Filter) 기능도 있습니다 . 이 기능은 전력 손실에 기여하지만 공진 주파수 튜닝에는 기여하지 않습니다. 이 중단 점은 Rs * C1 = Tau = 1 / (2pi * f)에서 발생합니다.

-3dB 중단 점은 Xc (fo) = Rs 일 때 발생합니다. 이 예에서 C1 = 20pf fo = 32kHz 따라서 Xc = (1 / 2pi f C) = 249kΩ

처음에 사용 된 공식은 더 큰 공진기가 더 높은 Q를 가지며 따라서 약 10kΩ / mm 두께의 더 높은 최소값을 갖는 전력 정격에 대한 것입니다. 250kΩ의 기본에서 신호 감쇠가 발생하기 전에 상당한 여유가 있습니다. 2.5MΩ이 사용 된 경우 인버터 이득은 초과 루프 이득으로 사각 파 출력을 달성하기 위해 20dB 손실을 보상해야합니다. 32kHz Xtal은 가장 평평하고 최대 f를 제공하는 포물선 피크를 가지고 있습니다. 실온에서 양쪽으로 내려갑니다.


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